+
  • khgf001.jpg

2.5G 1310nm 1550nm DFB 激光器TO



关键的低温玻璃焊接工艺 全进口的自动化生产线 漏率典型值在5.0×10-9 Pa·m3/s以上 经济型高品质器件,满足您不同的需求 月产60万有源器件,满足您多型号、大批量的短期交付要求

所属分类:

图片名称

技术工艺

图片名称

保证质量

图片名称

产品制造

图片名称

国家级高新技术企业

产品咨询:

  • 产品描述
  • 产品参数
    • 商品名称: 2.5G 1310nm 1550nm DFB 激光器TO

    关键的低温玻璃焊接工艺 全进口的自动化生产线 漏率典型值在5.0×10-9 Pa·m3/s以上 经济型高品质器件,满足您不同的需求 月产60万有源器件,满足您多型号、大批量的短期交付要求

  • Description描述    
    ORTE1312-1-1-A    是一款无制冷,传输速率2.5G, 中心波长1310nm/1550nm  的 DFB 同轴激光
    器,将高速 DFB-LD  芯片和监控光电二极管,集成在一个小尺寸金属陶瓷管体内封装。它被设计用
    于SFP 收发器件和其他类型的高速光学模块,以及通讯和数据应用,包括 SONET/SDH,   光纤通道和
    千兆以太网。"    
     

    Features 特 征     Applications 应 用    

    低阈值电流"    
    1310nm  典型发射波长    
    "具有MQW   结构不带制冷器使用的DFB-LD  芯片
    用2.0 (mm)   的大球管帽进行TO56 同轴封装
    数据传输速度高达2.5Gbps
    良好的高温特性"    
    "SONET/SDH OC-3/STM- 1 OC- 12/STM-4 OC48/STM- 16
    千兆以太网"    
    无源光网络
    电子信号通讯
    数据通信"    
    移动通信网光收发器    


     

    Absolute Maximum Ratings绝对最大额定值
    Parameter参数 Conditions环境 Ratings额定值 Unit单位
    Reverse Vollage(Laser Diode )
    反向电压(激光二极管)
      2 V
    Reverse voltage(Fhoto Diode)
    反向电压(光电二极管)
      20 V
    Forward Curent( Laser Diode)
    正向电流(激光二极管)
      150 mA
    Forwand Curent (Photo Dlode)
    正向电流〔光电二极管〕
      2 ma
    Operating Temperature工作温度   20-65
    Slorage Temperaure存储温度   -40-95

     

    Electrical/opticalcharacteristics(T=25℃)电气/光学特性(温度为25℃)
     Parameter
        参数
    Test conditions
    测试环境
    Min
    最小值
    Typ
    典型值
    Max
    最大值
      Unit
      单位
    Threshold Current
       阈值电流
    CW   6 12    mA
    CW 85℃     35
     Slope Efficiency
        斜效率
    CW,Ith+20 mA 0.4 0.45     mW/mA
    CW,Ith+20 mA,85℃ 0.23 0.27  
      Output Power
      输出功率
    CW,Ith+20 mA 8 9     mW
    CW,Ith+20mA,85℃ 4.6 5.4  
    Operating Voltage
       工作电压
    CW,Ith+20 mA   1.18 1.5 V
    Peak Wavelength
       峰值波长
    CW,Ith+20 mA       nm
      Spectral Width
      光谱宽度
    CW,Ith+20 mA     1 nm
    Temperature Coefficient of Peak Wavelength
                 波长温度系数
    CW,-20 to 85℃   0.09   nm/℃
    Side-Mode Suppression Ratio
          边模抑制比
    CW,Ith+20 mA 35 40   dB
    Rise and Fall time
    上升及下降时间
    Ib=Ith,20-80%   100 200 ps
      Relative Intensity Noise
         相对强度噪音
    CW,Ith+20 mA   -140   dB/Hz
      Beam Farfield(Vertical)
      光束发散角(垂直)
    CW,Ith+20 mA   30   Deg.
      Beam Farfield (Horizontal)
      光束发散角(水平)
    CW,Ith+20 mA   25   Deg.
      Monitor Output Current
           监视电流
    CW,Ith +20 mA 100   1000 μA
     Dark Current( PhotoDiode)
    暗电流(光电二极管)
    Vwp=5V     100 nA
    Capacitance(Photo Diode)
      电容(光电二极管)
    Vxp=5V,f=1MHz   10 20 pF
    Focal Length焦距   6.2 6.5 6.8 mm

相关产品

欢迎您的咨询留言

我们的工作人员将会在24小时之内(工作日)联系您,如果需要其他服务,欢迎拨打服务热线:020-61798333